關于應用航順芯片HK32F030延時效率問題
客戶在應用程序中可能存在死等延時的處理函數(用for或者do…while)。 對比ST同樣的函數HK的芯片出現延時比ST慢，是因為HK的芯片在cpu和flash之間有一個4個word大小(編號為00，04，08，0c)的指令緩存，工程編譯之后，如果函數被存放到flash的地址的尾地址沒有從0開始的話，(比如函數的入口地址為0x08000004，會被放到編號04的字中，而不是編號0中)，就會出現執行效率低的問題。如何避免這種問題呢？
我們在HK030/031/04A的應用筆記中有指導說明，今天在這里用一個例子詳細說明修改方法:
比如用戶使用uint32_tGItimer=1000000;voidDelayTimer(void){uint32_t i;for(i=0;i<GItimer;i++){ i=i;}}這樣工程編譯后放在flash ROM空間不同位置，尤其是超過32K后容易表現出來延時不同。為了解決這種因程序尾地址不同造成命令預取指不同而影響指令執行效率問題，把延時程序修改成如下方式可以避免上述現象。
修改如下:voidDelayTimer(void){ uint32_t i; FLASH->ACR&= ~(0x00000010); for(i=0;i<GItimer;i++) { __nop(); __nop(); __nop(); __nop(); __nop(); __nop(); __nop(); __nop(); __nop(); __nop(); __nop(); __nop(); __nop(); __nop(); __nop(); __nop(); __nop(); __nop(); __nop(); __nop(); } FLASH->ACR |= 0x00000010; }這樣修改后，就可以使調用函數延時指令執行效率與ST一樣。因此用戶在使用030/031/04A做開發時如果程序中存在這樣死等待的延時函數，如果在時效上想與ST接近，建議采用這種方式修改。
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編輯：zzy 最后修改時間：2022-05-17
