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全新 DDR5 服務器內存可最大限度地提高 AI、高性能計算和其他數(shù)據密集型應用及工作負載的性能
隨著 CPU 內核數(shù)量不斷增加，改進后的內存架構相比 DDR4[1] 可將帶寬提高近一倍，進而提高效率
JEDEC 速度提高至 4800MT/s[2]，比 DDR4 快 1.5 倍[3]
得益于高達 64GB 的模組容量，能夠支持內存密集型工作負載[4]
DDR5 的創(chuàng)新架構改進和模組內建電源管理功能，有助于優(yōu)化系統(tǒng)整體運行性能
內存和存儲解決方案領先供應商 Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布，面向商業(yè)和工業(yè)渠道合作伙伴推出美光 DDR5 服務器 DRAM，以支持下一代英特爾®和 AMD® DDR5 服務器及工作站平臺的行業(yè)資格認證。相比 DDR4 DRAM，DDR5 內存產品能夠將系統(tǒng)性能提高至多85%。[5]美光全新 DDR5 服務器內存能夠為人工智能（AI）、高性能計算（HPC）和數(shù)據密集型應用提供 DDR4 技術所不具備的更高 CPU 計算能力與內存帶寬，從而最大限度地提升這些應用的性能。
美光商用產品事業(yè)部副總裁兼總經理 Teresa Kelley 表示：“隨著數(shù)據量持續(xù)呈指數(shù)級增長，能否將數(shù)據轉化為洞察對業(yè)務成功至關重要。數(shù)據中心運營者需要借助先進的內存能力與處理器技術的進步來最大限度地提高平臺性能。美光 DDR5 服務器 DRAM 可提供海量帶寬，助力管理最為內存密集型的應用。美光始終走在 DDR5 內存技術發(fā)展前沿，引領業(yè)界向 DDR5 內存技術過渡，并致力于支持數(shù)據中心客戶和渠道合作伙伴完成服務器 DDR5 DRAM 資格認證及準備工作。”
作為全球內存行業(yè)領導者，美光從一開始便與電子元件工業(yè)聯(lián)合會（JEDEC）聯(lián)手確立了 DDR5規(guī)范，并通過美光 DDR5 技術賦能計劃（Technology Enablement Program，TEP）——業(yè)界唯一的 DDR5 生態(tài)系統(tǒng)賦能計劃面向廣泛的市場領域推廣早期 DDR5 資格認證。目前，美光 DDR5 技術賦能計劃已經吸引了來自全球 160 多家企業(yè)的 400 多位成員參與，旨在幫助合作伙伴簡化 DDR5 內存設計并應對集成挑戰(zhàn)。所有美光服務器 DDR5 DRAM 均針對下一代產品系列進行了優(yōu)化，并通過了模組和顆粒測試，以達到關鍵任務型服務器標準。
目前，采用 DDR5 內存模塊的服務器正在數(shù)據中心環(huán)境中接受評估和測試，預計將在 2022 年下半年加快采用速度。DDR5 的初始數(shù)據傳輸速率為 4800MT/s，預計后續(xù)還將進一步提高，以更好地滿足未來數(shù)據中心工作負載的需求。客戶即刻可通過美光全球商業(yè)和工業(yè)渠道合作伙伴獲得美光 DDR5 服務器內存產品。
更多中文產品信息請訪問中文網站 www.crucial.cn。
關于 Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司）
美光科技是創(chuàng)新內存和存儲解決方案的業(yè)界領導廠商，致力于通過改變世界使用信息的方式來豐富全人類生活。憑借對客戶、領先技術、卓越制造和運營的不懈關注，美光通過 Micron? 和 Crucial® 品牌提供 DRAM、NAND 和 NOR 等多個種類的高性能內存以及存儲產品組合。我們通過持續(xù)不斷的創(chuàng)新，賦能數(shù)據經濟發(fā)展，推動人工智能和 5G 應用的進步，從而為數(shù)據中心、智能邊緣、客戶端和移動應用提升用戶體驗帶來更大的機遇。如需了解 Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）的更多信息，請訪問 cn.micron.com。
[1] 4800MT/s DDR5 的帶寬約是 3200MT/s DDR4 模塊的 1.87 倍。
[2] 初始發(fā)布的速率為 4800MT/s，未來預計可達 5600MT/s 和 6400MT/s。
[3] 初始發(fā)布的 DDR5 速度達 4800MT/s，比 DDR4 模塊的 3200MT/s 快 1.5 倍（速度提高 50%）。
[4] 初始發(fā)布的容量使用 16Gb 容量的內存顆粒。
[5] 4800MT/s DDR5 的帶寬約是 3200MT/s DDR4 模組的 1.87 倍。
