東芝NAND閃存：TC58BVG1S3HTAI0
TC58BVG1S3HTAI0
TC58BVG1S3HTAI0是一個單獨的3.3V2Gbit(2，214，592，512位)NAND電可擦和可編程只讀存儲器(NAND E2PROM)，組織為(2048 64)字節×64頁×2048塊。該設備具有一個2112字節的靜態寄存器，它允許在寄存器和存儲器單元數組之間以2112字節遞增傳輸程序和讀取數據。擦除操作是在單個塊單元中實現的(128 K字節、4K字節：2112字節×64頁)。
TC58 BVG1S 3HTAI0 是一種串行類型的存儲器設備，它利用 I/O引腳進行地址和數據輸入/ 輸出以及命令輸入。自動執行擦除和編程操作,使得該設備最適合于諸如固態文件存儲、語音記錄、用于靜態照相機的圖像文件存儲器其它需要高密度非易失性存儲器數據存儲的系統。
TC58BVG1S3HTA0在芯片上具有ECC邏輯，并且可以在內部校正每個528字節的8位讀取錯誤。
編輯：admin 最后修改時間：2019-09-05
