東芝NAND閃存：TH58BVG3S0HBAI6
TH58BVG3S0HBAI6
TH58BVG3S0HBAI6是一個3.3V8Gbit(8,858,370,048位)NAND電可擦可編程只讀存儲器(NANDE2PROM)，其組織為(4096+128)字節或64頁或4096塊。該裝置具有4224字節靜態寄存器，允許在寄存器和存儲器單元數組之間以4224字節遞增傳輸程序和讀取數據。擦除操作是在單個塊單元中實現的(256千字節，8千字節：4224字節×64頁)。
TH58BVG3S0HBAI6是一種串行型存儲設備，它使用I/O引腳進行地址和數據輸入/輸出以及命令輸入。自動執行擦除和程序操作，使設備最適合應用程序，如固態文件存儲，語音記錄，圖像文件存儲器的靜止相機以及其它需要高密度非易失性存儲器數據存儲的系統。
TH58BVG3S0HBA6在芯片上具有ECC邏輯，并且可以在內部校正每個528字節的8位讀取錯誤。
編輯：admin 最后修改時間：2019-09-06
