東芝NAND閃存：TC58BVG2S0HBAI6
TC58BVG2S0HBAI6
TC58BVG2S0HBAI6是一個3.3V4Gbit(4，429，185，024位)NAND電可擦和可編程只讀存儲器(NAND E2PROM)，組織為(4096 128)字節×64頁×2048塊。該裝置具有4224字節靜態寄存器，允許在寄存器和存儲器單元數組之間以4224字節遞增傳輸程序和讀取數據。
TC58BVG2S0HBai6是一種串行型存儲設備，它使用I/O引腳進行地址和數據輸入/輸出以及命令輸入。自動執行擦除和編程操作,使得該設備最適合于諸如固態文件存儲、語音記錄、用于靜態照相機的圖像文件存儲器其它需要高密度非易失性存儲器數據存儲的系統。
TC58BVG2S0HBAI6芯片上有ECC邏輯，每528位字節的8位讀取錯誤可以內部糾正。
編輯：admin 最后修改時間：2019-09-05
