東芝NAND閃存：TC58BYG1S3HBAI6
TC58BYG1S3HBAI6
TC58BYG1S3HBAI6是一個1.8V2Gbit(2,214,592,512位)NAND電可擦可編程只讀存儲器(NANDE2PROM)，其組織為(2048+64)字節或64頁或2048塊。該裝置具有2112字節靜態寄存器，允許在寄存器和存儲器單元陣列之間以2112字節遞增傳輸程序和讀取數據。擦除操作在單個塊單元(128KB+4KB：2112字節/64頁)中實現。
TC58BYG1S3HBAI6是一種串行型存儲設備，它使用I/O引腳進行地址和數據輸入/輸出以及命令輸入。自動執行擦除和編程操作,使得該設備最適合于諸如固態文件存儲、語音記錄、用于靜態照相機的圖像文件存儲器其它需要高密度非易失性存儲器數據存儲的系統。
TC58BYG1S3HBAI6芯片上有ECC邏輯，每個528字節的8位讀取錯誤可以內部糾正。
編輯：admin 最后修改時間：2019-09-05
