意法半導體 45W 和 150W MasterGaN
為了便于向高效寬帶隙技術的過渡，意法半導體發布了分別適用于高達 45W 和 150W 的應用的 MasterGaN3 和 MasterGaN5 集成功率封裝。
加入面向 65W 至 400W 應用的 MasterGaN1、MasterGaN2 和 MasterGaN4，這些新增產品為設計開關電源、充電器、適配器、高壓功率因數校正時選擇最佳 GaN 器件和驅動器解決方案提供了額外的靈活性(PFC) 和 DC/DC 轉換器。
ST 的 MasterGaN 概念簡化了從普通硅 MOSFET 到 GaN 寬帶隙電源技術的遷移。這些器件將兩個 650V 功率晶體管與優化的高壓柵極驅動器以及相關的安全和保護電路集成在一起，從而消除了柵極驅動器和電路布局設計挑戰。結合 GaN 晶體管可能實現的更高開關頻率，這些集成器件使電源比基于硅的設計小 80%，并且極其堅固可靠。
MasterGaN3 器件的 GaN 功率晶體管具有 225mΩ 和 450mΩ 的非對稱導通電阻 (Rds(on))，使這些器件適用于軟開關和有源整流轉換器。在 MasterGaN5 中，兩個晶體管都具有 450mΩ Rds(on)，可用于 LLC 諧振和有源鉗位反激等拓撲。
與其他 MasterGaN 系列成員一樣，這兩款器件的輸入都與 3.3V 至 15V 的邏輯信號兼容，從而簡化了主機 DSP、FPGA 或微控制器與霍爾傳感器等外部設備的連接。它們還集成了保護，包括低側和高側欠壓鎖定 (UVLO)、柵極驅動器互鎖、過熱保護和關斷引腳。
每個 MasterGaN 器件都有一個專用原型板支持，以幫助設計人員快速啟動新的電源項目。EVALMASTERGAN3 和 EVALMASTERGAN5 板包含生成單端或互補驅動信號的電路。有一個可調的死區時間發生器，以及供用戶應用單獨輸入信號或 PWM 信號的連接，添加一個外部自舉二極管來幫助容性負載，并插入一個低側分流電阻器用于峰值電流-模式拓撲。
MasterGaN3 和 MasterGaN5 采用 9mm x 9mm GQFN 封裝，針對高壓應用進行了優化，高壓和低壓焊盤之間的爬電距離為 2mm。
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編輯：ls 最后修改時間：2022-08-09
