ST意法半導體 600-650V MDmesh DM9 超結快速恢復功率MOSFET提高了效率和穩健性
新型硅基快速恢復體二極管超結 MOSFET系列為全橋相移ZVS拓撲提供理想的效率和可靠性ST超結快速恢復硅基功率MOSFET兼具超低恢復電荷(Qrr)和超快快恢復時間(trr)，以及出色的品質因數(RDS(on)x Qg)，能夠為要求嚴苛的橋式拓撲和ZVS相移轉換器帶來極高的效率和功率水平，適用于工業和汽車應用。該產品系列提供了廣泛的封裝選項，包括長引線 TO-247、TO-LL，以及SOT223-2封裝。
最新的快速恢復體二極管超結MOSFET技術針對要求嚴苛的橋式拓撲和ZVS相移轉換器進行了優化。
STPOWER MOSFET MDmesh DM9系列的擊穿電壓范圍600 - 650V，降低了反向恢復效應，提升了最高允許di/dt和dv/dt。具有極低的通態電阻(RDS(on))和柵電荷(Qg)，與同類競爭器件和意法半導體先前的技術相比，幫助設計人員獲得了更高的效率水平。
關鍵特性
行業領先的品質因數(RDS(on) x Qg)
體二極管反向恢復時間(trr)性能提高
提高了dv/dt(120V/ns)和di/dt能力(1300A/μs)
優化了體二極管恢復階段和平緩性
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編輯：zzy 最后修改時間：2022-06-20
