意法半導體-半橋氮化鎵單芯片
ST意法半導體推出了三款MasterGaN器件，MasterGaN器件內部集成了兩顆GaN開關管及驅動器，組成半橋器件，是一款先進的系統級功率封裝，可輸入邏輯電壓信號輕松控制器件。ST的MasterGaN系列均為半橋器件，內置650V耐壓的增強型氮化鎵開關管，支持零下40到125攝氏度工作溫度范圍，三款器件僅內置開關管參數不同。
一、MasterGaN1
圖為ST MasterGaN1的評估板，連接為半橋輸出，左側為驅動信號輸入，右側為半橋輸出，左側下方是一顆穩壓器，為MasterGaN1提供穩壓供電。
通過評估板圖片可以看出，MasterGaN1器件將控制信號和功率走線分開，便于走線布局設計。
ST MasterGaN1 特寫。
MASTERGAN1內部集成半橋驅動器和兩顆耐壓650V，導阻150mΩ的高壓GaN開關管，集成在9*9*1mm的QFN封裝內，對稱半橋，工作電流10A，低側和高側均具有欠壓關閉保護。驅動器內置自舉二極管，內置互鎖功能，且具有準確的內部定時匹配。具有獨立的關斷引腳，具有滯回和下拉的3.3-15V輸入信號，外圍元器件精簡，具有非常緊湊和簡便的布局，可實現靈活快捷的設計。
二、MasterGaN2
MASTERGAN2為非對稱設計的半橋結構，上管為225mΩ，下管為150mΩ，其余功能與MASTERGAN1一致，可用于ACF拓撲。
ST MasterGaN2 特寫。
ST MasterGaN2內部集成225mΩ上管和150mΩ下管。
三、MasterGaN4
MasterGaN4為對稱半橋結構，內置兩顆225mΩ導阻的高壓GaN開關管。
ST MasterGaN4 特寫。
ST MasterGaN4內部集成225mΩ上管和225mΩ下管。
小編制表方便大家看出不同型號之間的區別。
此外，還有基于MasterGaN1的250W輸出功率LLC諧振電源EVLMG1-250WLLC。
這款電源采用400V直流輸入，輸出電壓24V，尺寸為100*60mm，開關管和同步整流均焊接在小板上，提高空間利用率，便于散熱。
電源背面高壓側有一顆控制器。
采用L6599A LLC控制器控制一個MasterGaN1進行LLC諧振運行。
焊接MasterGaN1的小板，沒有任何輔助散熱措施，僅靠PCB散熱。基于器件內置的兩顆150mΩ氮化鎵開關管，就可通過LLC諧振輸出250W高功率。
ST推出的MasterGaN系列產品，對于半橋架構的開關電源來說，是一顆非常適合的芯片。MasterGaN其9*9mm的封裝看起來比較大，但是比起兩顆8*8的GaN開關管加上獨立的驅動器，占板面積大大縮小。同時合封器件也大大減小了寄生效應對效率的影響，提高電源產品的效率和可靠性。
MasterGaN優化的散熱焊盤與走線布局，大大簡化了PCB設計，適宜應用在高功率密度的大功率電源中，增加可靠性，減小體積，降低散熱需求。
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編輯：ls 最后修改時間：2022-06-17
