uPI用于GaN上應用的超高速 80V-HB驅動器
功率密度的新水平
35年前取代雙極晶體管以來，硅MOSFET已廣泛應用于大多數電力應用中。在這10年中，氮化鎵（GaN）已經是一種成熟的半導體材料，廣泛應用于LED照明和無線應用。現在，隨著GaN FET的特性和工藝的進步（更低的Rdson和Qg），功率轉換器將具有更高的效率、更快的開關頻率和更小的尺寸。GaN必將把當前的電源解決方案帶入下一個層次。
uPI GaN驅動器系列
uPI超高速80V HB驅動器-uP1966設計用于有效地驅動半橋和全橋配置中的高側和低側GaN FET。它集成了死區時間控制電路、內部助推電源和更快的傳播延遲。與分立實現相比，它使用簡單，它為您的電源解決方案帶來了更高的功率密度和效率，同時減少了組件數量。uP1966有Couple版本，支持不同的輸入源、可調死區控制和超高頻應用。所有版本均采用12引腳WLCSP封裝，封裝電感最小。
特征：
輸入電壓敢達80V
獨立的高側和低側TTL邏輯輸入
0.4Ω/0.7Ω下拉/下拉低電阻
內部增壓器電源電壓
獨立死區時間控制
15ns快速傳播延遲
WLCSP 1.6 X 1.6 mm2-12B
特征：
6V至12V單電源范圍
0.4Ω/0.7Ω下拉/下拉低電阻
6A/2A峰值吸收和源極驅動電流
集成LDO
可調柵極驅動器輸出電壓
5ns，快速上升和下降時間
13.5ns快速傳播延遲
WDFN 3 X 3 mm2-10針
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編輯：ZQY 最后修改時間：2022-10-27
