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作為第三代半導體材料的代表，SiC具有大禁帶寬度、高擊穿電場強度、高飽和漂移速度等優(yōu)良特性，目前已經(jīng)成為半導體領域最火熱、最具前景的材料之一。
供給側：受襯底良率及產(chǎn)能影響，在2025年之前供給整體偏緊
從產(chǎn)業(yè)鏈來看，碳化硅行業(yè)主要可分為襯底、外延和器件三個重點環(huán)節(jié)。
其中，襯底在產(chǎn)業(yè)鏈中價值量占比最高，接近50%。根據(jù)后續(xù)生長外延層的不同，SiC襯底可以分為半絕緣型襯底（SiC襯底+GaN外延），主要應用于5G通信、衛(wèi)星等高頻需求領域，以及導電型襯底（SiC襯底+SiC外延），主要應用于新能源汽車、光伏發(fā)電等高壓需求領域。
根據(jù)Yole的數(shù)據(jù)，2020年半絕緣型SiC襯底市場規(guī)模為10.62億美元，預計2025年將增長至28.39億美元，CAGR約21.7%。而導電型SiC襯底在2020年市場規(guī)模為7.31億美元，預計2025年將增長至44.67億美元，CAGR約43.6%。從競爭格局來看，在全球半絕緣襯底材料領域，II-VI 、WolfSpeed、天岳先進三家合計占比達到市場份額以達到98%以上。而在在導電型 SiC 市場，WolfSpeed一家獨大，市場份額超過了60%。
產(chǎn)能方面，因SiC襯底面臨長晶速度慢、良率低等問題，導致襯底制備成本過高，制約了行業(yè)規(guī)模化發(fā)展，目前全球碳化硅產(chǎn)能約40-60萬片（導電型）。盡管海內(nèi)外各大廠商均在大力擴產(chǎn)，但2022年以后規(guī)劃的新產(chǎn)能最快于2024年開出，對中短期供給影響有限。此外，以目前各大廠商的產(chǎn)能規(guī)劃來看，假設所有產(chǎn)能如數(shù)開出，2025年全球有效產(chǎn)能將增長至328萬片（考慮良率后對應最大有效供給僅202萬片），即使這樣，整個行業(yè)在2025年之前供給仍然處于偏緊的局面。
除了襯底外，外延片也是碳化硅產(chǎn)業(yè)中非常重要性的一環(huán)，雖然在SiC晶圓中價值占比僅為23%，但由于外延的厚度及摻雜濃度等技術關乎碳化硅器件的最終性能，也受到越來越多廠商的重視。目前，市場上碳化硅外延片企業(yè)主要有 DowCorning、II-VI、Norstel、WolfSpeed、羅姆、三菱電機、Infineon 等；在大陸市場，瀚天天成（EpiWorld）和東莞天域半導體均可供應 4-6 英寸外延片，中電科13所、55所亦有內(nèi)部供應的外延片生產(chǎn)部門。
與Si相比，SiC半導體性能更為優(yōu)異，其禁帶寬度是硅的3倍，擊穿電壓是硅的8-10倍，導熱率是硅的3-5倍，電子飽和漂移速率是硅的2-3倍。SiC能夠有效滿足電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和輕量化要求，是制作高溫高頻、大功率高壓器件的理想材料之一。在SiC產(chǎn)品性能占據(jù)全面優(yōu)勢的背景下，以國內(nèi)外傳統(tǒng)功率大廠為主的各家企業(yè)均開始加速布局SiC器件產(chǎn)品，國內(nèi)外市場迎來群雄并起的市場格局。
從全球來看，根據(jù)Yole的數(shù)據(jù)，2021年全球SiC功率器件市場份額由海外巨頭意法半導體、英飛凌、Wolfspeed、羅姆、安森美等廠商壟斷，全球TOP 5占據(jù)接近90%的市場份額。
國內(nèi)市場方面，從事碳化硅器件業(yè)務的企業(yè)主要有比亞迪半導體、斯達半導、時代電氣、華潤微、三安光電、泰科天潤等。雖然國外企業(yè)在技術、產(chǎn)能等方面具有先發(fā)優(yōu)勢，但SiC行業(yè)發(fā)展歷史相對較短，國內(nèi)外差距相對較小，在需求高漲的背景下，國內(nèi)企業(yè)有望加速實現(xiàn)國產(chǎn)替代。
需求測: 碳化硅車型加速放量，2023H1累計銷量已經(jīng)突破120萬輛
近年來，隨著碳化硅在新能源汽車、新能源發(fā)電、軌道交通、工業(yè)、消費等領域滲透率的快速提升，其市場規(guī)模也在不斷擴大。
根據(jù)Yole的數(shù)據(jù)，2021年全球碳化硅市場規(guī)模為10.90億美元，預計未來6年將保持34%的年均復合增長率快速增長，到2027年其市場規(guī)模將達到62.97億美元。值得注意的是，目前碳化硅市場仍然以汽車應用為主導，在2021以 6.85億美元的規(guī)模占整體市場的比例達63%。據(jù)其預測，汽車碳化硅市場未來將以39.2%的復合增長率增長，到2027年將達到49.86億美元。
碳化硅在電動汽車領域主要用于主驅逆變器、車載充電系統(tǒng)(OBC)、電源轉換系統(tǒng)(車載DC/DC)和非車載充電樁。根據(jù)Wolfspeed公司的預測，到2026年汽車中逆變器所占據(jù)的碳化硅價值量約為83%，是電動汽車中價值量最大的部分。其次為OBC，價值量占比約為15%；DC-DC轉換器中SiC價值量占比在2%左右。此外，電動汽車充電樁也是SiC器件的一大應用領域。
需求方面，一輛新能源汽車的 SiC MOSFET芯片使用量可達40-60顆。其中，主驅逆變器為36-48顆（雙電機用量翻倍），OBC 6-8顆，DC-DC 2-4顆。通過在上述零部件中使用碳化硅，可有效提升廠家的賣點以及消費者對電動車續(xù)航和充電的體驗。
2018年，特斯拉在 Model 3中首次將IGBT模塊換成了SiC模塊，成為業(yè)界首個在電動汽車中采用碳化硅主驅逆變器模塊的車企。隨著近年來800V高壓平臺布局的加速，目前除特斯拉Model3外，還有比亞迪漢EV、比亞迪新款唐EV、蔚來ES7、蔚來ET7、蔚來ET5、小鵬G9、保時捷Tayan和現(xiàn)代ioniq5等車型已經(jīng)在電驅中采用了碳化硅器件。
從銷量情況來看，2022年在全球范圍內(nèi)，特斯拉的Model Y、 Model 3和比亞迪的漢EV分別以758,792輛、488,354輛、274,015輛的銷量位于碳化硅車型銷量前三。國內(nèi)品牌方面，除了比亞迪之外，蔚來的ET7和ES7合計銷量為37,204輛，在碳化硅車型方面也取得了突飛猛進的進步。
在2022年良好的基礎上，2023年上半年碳化硅車型繼續(xù)加速放量。
據(jù)CleanTechnica的最新數(shù)據(jù)，2023年1-6月，全球新能源汽車的累計銷量為583.19萬輛，同比增長40.2%，市場占有率為15%。今年1-5月，多款碳化硅車型大受歡迎，合計銷量約104萬輛。加上6月的部分銷量，預計碳化硅車型滲透率已經(jīng)超過22%，達127萬輛。
具體來看，特斯拉旗下碳化硅車型包括Model Y、Model 3以及新款Model S Plaid，其中Model 3/Y僅在Q2就交付了44.6915萬輛，在2023年上半年合計銷量為85.89萬輛，依然是全球碳化硅車型銷量最多的車企。
國內(nèi)廠商方面，比亞迪上半年新能源汽車銷量合計為125.5637萬輛，同比增長 94.25%。其中旗下漢EV（高性能四驅版本）、2022款唐DM-i、海豹以及2023年發(fā)布的2款仰望車型（未交付）都搭載了SiC技術，并且也取得了不錯的銷量；小鵬旗下G9是國內(nèi)基于碳化硅800V平臺的首款量產(chǎn)車型，在今年上半年完成了4.14萬輛的銷量。6月29日晚，小鵬新款SiC車型G6正式迎來上市。小鵬G6開啟預售72小時，訂單量達到2.5萬輛，截至6月28日訂單量達到3.5萬輛；蔚來旗下共有5款SiC車型，分別為ET5、ET7、ES7、新一代ES8及EC7。其中，ET5上半年累計銷量為28699輛，ET7銷量為3601輛，ES7銷量為4840輛，新一代ES8銷量為2220輛，EC7銷量為1525輛，5款SiC車型合計累計交付4.0885萬輛；理想在L9中搭載了碳化硅，2023年累計銷量為42511輛，在大型SUV中，年銷量排名第1名。
產(chǎn)能供不應求，碳化硅行業(yè)10億元以上大單長單滿天飛
在新能源汽車爆發(fā)式增長的帶動下，市場對SiC器件的需求空前高漲，尤其是隨著主驅逆變器采用碳化硅的車型越來越多，將消耗掉全球大部分SiC襯底產(chǎn)能，全球襯底產(chǎn)能將持續(xù)緊缺。
以特斯拉Model 3為例，根據(jù)特斯拉Model 3主驅逆變器拆解來看，其中包括六個模塊，每個模塊由4個SiC小模塊并聯(lián)，型號為意法半導體的ST GK026。拆開封裝來看，每顆SiC小模塊有2個SiC裸晶（Die），因此該逆變器共有48顆電壓/電流規(guī)格為650V/100A的SiC MOSFET芯片，單芯片的面積約33平方毫米。根據(jù)Wolfspeed數(shù)據(jù)，一片6英寸SiC襯底面積約17663平方毫米，生產(chǎn)32平方毫米大小SiC MOSFET過程中6英寸襯底邊緣損耗為14%，假設60%的器件制造良率，則單片6英寸襯底可產(chǎn)出約276個良品，則單片6英寸襯底可供應約5.75輛新能源車的主驅逆變器。根據(jù)TrendForce數(shù)據(jù)，2022年全球新能源乘用車的銷量達到1000萬輛左右，若主驅逆變器全部采用SiC MOSFET，則共需約174萬片6英寸SiC襯底。而目前全球SiC襯底總年產(chǎn)能約在40萬~60萬片等效6英寸，SiC襯底產(chǎn)能持續(xù)緊缺。
除了產(chǎn)能緊缺外，由于當前碳化硅行業(yè)還面臨生產(chǎn)效率低、良率低、成本高等問題。以特斯拉Model 3為例，其主驅動逆變器采用了48個SiC MOSFET，總成本約為5000元，是硅基IGBT的3~5倍。居高不下的成本，已成為限制碳化硅大規(guī)模應用的一個重要阻礙。
在這種大背景下，產(chǎn)業(yè)鏈長約訂單的形式開始不斷出現(xiàn)。下游主機廠通過和芯片供應商、Tier1簽訂長約，不僅可以提前鎖定未來3-5年的產(chǎn)能，避免芯片短缺的情況出現(xiàn)，而且還可以把批量采購價可降至硅基IGBT的2.0-2.5倍，讓碳化硅大規(guī)模上車從理論成為現(xiàn)實。
從國際廠商來看，意法半導體為保供應此前就與上游材料廠簽訂了超過7.5億片晶圓供應協(xié)議。在近期，ST宣布與采埃孚簽訂超過1,000萬個碳化硅器件合同，助力采埃孚完成價值超過 300 億歐元的電驅動訂單。此外，意法半導體還為SEMIKRON（賽米控）的eMPack ?電動汽車電源模塊提供碳化硅技術，該訂單金額超10億歐元，計劃于2025年開始批量生產(chǎn)；英飛凌與天岳先進、天科合達、昭和電工簽訂長期協(xié)議，并且和 Stellantis簽約的碳化硅訂單超過10億歐元；Wolfspeed目前擁有長期碳化硅材料合同金額達13億美元，器件金額達150億美元。其中包含瑞薩電子的20 億美元碳化硅采購合同以及博格華納的6.5 億美元碳化硅器件年度合同；羅姆近日除了與緯湃科技簽訂1300億日元（約9.1億美元）SiC功率元器件購銷合同外，也與賽米控簽訂合同助力其完成價值超過10 億歐元的碳化硅訂單；安森美目前與博格華納簽訂的碳化硅合同金額已經(jīng)超10億美元。此外，公司還與緯湃科技簽訂價值19億美元（17.5億歐元）的碳化硅產(chǎn)品10年期供應協(xié)議。
國內(nèi)廠商方面，碳化硅襯底廠商天岳先進早在2022年7月就與某客戶簽訂了一份金額為人民幣13.93億元的6英寸導電型碳化硅襯底產(chǎn)品長期協(xié)議；除了襯底廠商外，外延片廠商東莞天域和瀚天天成也在近期也陸續(xù)收獲了10億元左右的大額訂單。其中東莞天域的訂單來自高意集團（II‐VI），金額為1億美元，合同約定東莞天域向其供應碳化硅（SiC）6英寸襯底，從本季度開始到2023年底交付。瀚天天成的大額訂單金額為1.92億美元，約定向客戶在合同規(guī)定的時間內(nèi)向其提供8英寸襯底產(chǎn)品；器件方面，近日，三安光電在互動平臺稱碳化硅各環(huán)節(jié)業(yè)務順利推進，截至2023H1，已簽署的碳化硅MOSFET長期采購協(xié)議總金額超70億元。
