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代表著下一代電源系統未來的，氮化鎵（GaN）功率半導體的全球領先供應商 Transphorm, Inc.（納斯達克股票代碼：TGAN）近日宣布新推出一款TOLT封裝形式的SuperGaN FET。新產品TP65H070G4RS 晶體管的導通電阻為72毫歐，為業界首個采用JEDEC標準（MO-332）TOLT封裝的頂部散熱型表面貼裝氮化鎵器件。針對不適合使用傳統底部散熱型表貼器件的系統，TOLT封裝為客戶提供了更為靈活的熱管理方案。采用TOLT 封裝，不僅熱性能可媲美廣泛使用的、熱性能穩定的TO-247插孔封裝，還具有基于SMD的印刷電路板組裝（PCBA）實現高效制造流程的額外優勢。
TP65H070G4RS 采用了 Transphorm 強大的高性能 650 V 常閉型 d-mode 氮化鎵平臺，該平臺具有更低的柵極電荷、輸出電容、交叉損耗、反向恢復電荷和動態電阻，從而效率優于硅、碳化硅和其他氮化鎵產品。SuperGaN 平臺的優勢與 TOLT 封裝更好的散熱性及系統組裝靈活性相結合，為尋求推出具有更高功率密度和效率、總體功率系統成本更低的電源系統客戶提供了高性能、高可靠性的GaN解決方案。
Transphorm正在與全球多個高功率GaN合作伙伴展開合作，包括服務器和存儲電源領域的領先客戶，能源/微逆變器領域的全球領導者，創新型離網電源解決方案制造商，以及衛星通信領域的領軍企業。
Transphorm 業務發展及市場營銷高級副總裁 Philip Zuk 表示：“TOLL 和 TOLT 這樣的表面貼裝器件具有降低內部電感，以及在制造過程中更簡單的板載安裝等諸多優勢。TOLT 通過采用頂部散熱來提供更靈活的整體熱管理，具有類似插孔式的散熱性能。這些器件通常用于中高功率系統應用，關鍵細分市場包括高性能計算（服務器、電信、人工智能電源）、可再生能源和工業、以及電動汽車等。目前，其中一些市場應用已采用了Transphorm的氮化鎵技術。我們非常高興能夠通過TOLT SuperGaN 解決方案幫助客戶實現額外的系統級優勢。”
繼最近推出三款新型TOLL FET 后，Transphorm發布該款TOLT FET新產品，進一步豐富了 Transphorm 的產品線，并彰顯了Transphorm SuperGaN 平臺采用不同封裝形式器件“鎵”馭全功率以支持客戶應用的市場承諾。
器件規格
SuperGaN 器件憑藉其無與倫比的性能優勢引領市場：
l 可靠性：FIT失效率低于0.05
l 柵極安全裕度：± 20 V
l 抗擾性：4 V
l 電阻溫度系數（TCR）比 e-mode 常閉型氮化鎵器件低 20%
l 驅動靈活性（可采用標準的市售硅器件驅動器）
該650 V SuperGaN TOLT 封裝器件穩健可靠，已通過 JEDEC 標準認證。由于常閉型 d-mode 平臺是將GaN HEMT與一個集成型低電壓硅 MOSFET結合，因此，SuperGaN FET 可以使用常用的市售柵極驅動器驅動，應用于各種硬開關和軟開關 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 拓撲中，提高功率密度，并減少系統尺寸、重量和成本。
器件 | 尺寸(mm) | RDS(on) (mΩ) typ | RDS(on) (mΩ) max | Vth (V) typ | Id (25°C) (A) max |
TP65H070G4RS | 10 x 15 | 72 | 85 | 4 | 29 |
訂購及支持資源
TP65H070G4RS SuperGaN TOLT 封裝器件目前可提供樣片。如需索取樣品，請點擊下方鏈接提交申請: https://transphormusa.cn/en/products/
查閱 TP65H070G4RS 產品手冊，請點擊：https://transphormusa.cn/en/document/datasheet-tp65h070g4rs/
關于Transphorm
Transphorm, Inc.是氮化鎵革命的全球領導者，致力于設計、制造和銷售用于高壓電源轉換應用的高性能、高可靠性的氮化鎵半導體功率器件。Transphorm擁有最龐大的功率氮化鎵知識產權組合之一，持有或取得授權的專利超過1,000多項，在業界率先生產經JEDEC和AEC-Q101認證的高壓氮化鎵半導體器件。得益于垂直整合的業務模式，公司能夠在產品和技術開發的每一個階段進行創新：設計、制造、器件和應用支持。Transphorm的創新使電力電子設備突破硅的局限性，以使效率超過99%、將功率密度提高50%以及將系統成本降低20%。Transphorm的總部位于加州戈利塔，并在戈利塔和日本會津設有制造工廠。官網：www.transphormusa.cn 歡迎關注Transphorm官方微信：TransphormGaN氮化鎵
