東芝NAND閃存：TC58NVG0S3HBAI6
TC58NVG0S3HBAI6
TC58NVG0S3HBAI6是一個單一的3.3V 1Gbit(1，140，850，688位)NAND電可擦除和可編程只讀存儲器(NAND E2PROM)，組織為(2048 128)字節(jié)×64頁×1024塊。該設(shè)備具有2176字節(jié)的靜態(tài)寄存器，其允許程序和讀取數(shù)據(jù)以2176字節(jié)的增量在寄存器和存儲器單元陣列之間傳輸。擦除操作是在單個塊單元中實現(xiàn)的(128千字節(jié)，8千字節(jié)：2176字節(jié)×64頁)。
TC58 NVG0S3HBAI6 是一種串行類型的存儲設(shè)備，它利用 I/O引腳進行地址和數(shù)據(jù)輸入/ 輸出以及命令輸入。自動執(zhí)行擦除和程序操作，使該設(shè)備最適合于諸如固態(tài)文件存儲、語音記錄、靜止相機圖像文件存儲器等應用。以及其他需要高密度、非易失性存儲器數(shù)據(jù)存儲的系統(tǒng)。
編輯：admin 最后修改時間：2019-09-05
