三星、東芝及Intel 3D NAND閃存對比分析
NAND 閃存即將步入3D時代，目前3D NAND閃存生產廠商三星、東芝和SanDisk與Intel和美光的3D NAND閃存各有什么樣的特點呢？
三星是最早采用3D NAND(V-NAND)閃存的SSD，東芝和SanDisk的48層3D NAND閃存也在昨天開始向合作伙伴提供樣品，Intel和美光算是后來居上，2014年11月才公布了他們的產品，近日他們公開了更多資料，我們可以看看他們的新閃存與競爭對手有什么不同之處。
之前我們已經知道，Intel和美光首先會推出32層256Gb/32GB MLC版本，改成TLC的話容量更是可以進一步達到384Gb/48GB，2mm厚度就能塞下1TB的容量了，而終極目標是推出10+TB的SSD。
根據AnandTech分享的資料，為了提高容量密度，他們的這款3D NAND閃存每die內部將會使用4-plane(閃存片)的設計，雖然會帶來額外的延時，但同時也提供了比目前常見的2-plane設計閃存高1倍的讀寫吞吐量。
Intel和美光表示，他們的3D NAND的電荷存儲量和當年50nm節點產品相當，甚至稍微還要多些，是目前16nm節點的10倍，性能和可靠性都得到了保證。
傳統SSD閃存使用浮柵極MOSFET存儲電荷，晶體管的瑕疵會引起柵極與溝道之間短路，消耗柵極中的電荷，也就是說每次寫入都會消耗柵極的壽命，一旦消耗完了這一個cell單元也就掛了，而之前三星的V-NAND的解決辦法是改用電荷擷取閃存設計，電荷存儲在絕緣層上而非導體上，理論上就不會消耗這些電荷了。
不過隨后經過證實，Intel和美光并沒有和三星、東芝和SanDisk一樣使用新的電荷存儲技術，而是沿用傳統的浮柵極，做這個決定的理由是這項技術比較成熟，而新技術還未經過時間的考驗，不能說新的一定比舊的好。
容量密度問題得到了有效的解決，就無需再冒險使用更高級的制程工藝提高晶體管密度了，不過Intel和美光并沒有透露他們的3D NAND采用何種制程工藝，AnandTech猜測會在35-50nm之間(三星850 Pro用的是40nm，下一代會用30nm級別)。
至于耐用性方面，美光表示他們初期會將壽命定為3000次刷寫周期，大家可能覺得奇怪了，這不是跟目前的MLC閃存差不多么，人家三星V-NAND都高達35000次了。美光的說法是其實他們的消費級閃存都定在3000次，足夠普通用戶日常使用了，但這不代表是他們偷工減料，他們對自己的產品有信心。往后他們應該還會繼續改進設計，提高到10000+次也是有可能的(尤其是企業級閃存)。
然后關于Intel和美光的3D NAND的結構，這次也終于被公布出來了，沒錯就是上面這張圖，AnandTech表示和他們對接的Intel/美光工程師都不太能理解這個結構圖示，應該是一個cell的內部組成，描述每die之間以及與通道的連接方式，具體還是等以后官方公布吧。
最后說一下，我們對Intel和美光的3D NAND已經有了一個初步的了解，但還是需要等他們公布更多的細節以確認它和競爭對手同類技術的區別。另外他們現在已經向部分合作伙伴發放測試樣品，接下來會在今年上半年開始量產，首批產品應該會在明年上半年上市。
編輯：admin 最后修改時間：2017-08-19
