東芝NAND閃存：TC58BYG0S3HBAI4
TC58BYG0S3HBAI4
TC58 BYG0S 3HBAI4 是一個單一的 1.8V 1Gbit(1,107 ，296 ，256 位) NAND 電氣可擦除和可編程只讀存儲器 (NANDE2PROM) ，組織為 (2048 ，64)字節× 64 頁× 1024 塊。該裝置具有2112字節靜態寄存器，允許在寄存器和存儲器單元陣列之間以2112字節遞增傳輸程序和讀取數據。擦除操作在單個塊單元(128KB+4KB：2112字節/64頁)中實現。
TC58BYG0S3HBAI4是一種串行型存儲設備，它使用I/O引腳進行地址和數據輸入/輸出以及命令輸入。自動執行擦除和程序操作，使設備最適合于諸如固態文件存儲、語音記錄、靜止相機圖像文件存儲器等應用。
TC58BYG0S3HBA4在芯片上具有ECC邏輯，并且可以在內部校正每個528字節的8位讀取錯誤。
編輯：admin 最后修改時間：2019-09-05
