Qorvo 發布 TOLL 封裝的高功率 54m750V SiC FETs
全球領先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo （納斯達克代碼：QRVO）今日宣布，將展示一種全新的無引線表面貼裝 (TOLL) 封裝技術，其高性能具體表現在：750V SiC FET 擁有全球最低的5.4 (mΩ) 的導通阻抗。這也是 Qorvo 公司 750V SiC FETs 產品 TOLL 封裝系列中的首發產品，其導通電阻范圍從 5.4 mΩ 到 60 mΩ。這些器件非常適用于空間極其有限的應用場景，如從幾百瓦到千萬瓦的交流 / 直流電源以及高達 100A 的固態繼電器和斷路器。有助于幫助客戶減小體積尺寸，提高功率密度。
在 600 / 750V 這一層次電壓功率 FETs 類別中，Qorvo 第四代 (Gen 4) SiC FETs 產品的主要性能：比如導通電阻和輸出電容方面領先業界。此外，在 TOLL 封裝中，Qorvo 的器件具有最低 5.4 mΩ 的導通電阻，比目前市場同類產品中最好的 Si MOSFETs、SiC MOSFETs 和 GaN 晶體管的導通阻抗還要低上 4-10 倍。SiC FETs 的 750V 額定電壓也比其它的一些替代技術高100-150V，為客戶產品應用中的開關管電壓瞬變尖峰提供了更多的設計裕量。
Qorvo 電源器件事業部首席工程師 Anup Bhalla 表示：“在 TOLL 封裝中推出我們的 5.4 mΩ Gen4 SiC FET 旨在為行業提供最佳性能器件以及多種器件選擇，為此我們已邁出重要的一步，尤其對于從事工業應用的客戶，他們需要這種靈活性和提升成本效益的電源設計組合。”
TOLL 封裝與 D2PAK 表面貼裝器件相比，尺寸減少了 30％，高度為 2.3mm，相當于同類產品的一半。盡管尺寸縮小，但先進的制造技術實現了行業領先的 0.1℃ / W熱阻（從結到殼）。導通直流電流額定值最大為 120A，此時對應的殼溫為 144℃，在 0.5 毫秒時間內，脈沖沖擊電流最大值可以達到 588A。結合極低的導通電阻和出色的瞬態散熱能力，Qorvo 的 750V TOLL 封裝產品的“I2t”值比同一封裝的 Si MOSFET 高出約 8 倍，有助于提高客戶產品的魯棒性和抗瞬態過載能力，同時也簡化了設計。TOLL 封裝還提供了開爾文連接以實現可靠的高速轉換。
這些第四代 SiC FET 利用 Qorvo 獨特的 Cascode 電路結構（即共源共柵），將 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝在一個器件內部，以發揮寬禁帶開關技術的高效率優勢和 Si MOSFET 簡化的門級驅動的優勢。
現在可使用 Qorvo 免費在線工具 FET-JET 計算 TOLL 封裝的 Gen4 5.4mΩ SiC FET，該計算器可以立即評估各種交流 / 直流和隔離 / 非隔離的DC / DC轉換器拓撲連接的效率、元器件損耗和結溫上升。可將單個和并聯的器件在用戶指定的散熱條件下進行對比，以獲取最佳解決方案。
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3 月 19 日至 23 日，該系列產品于位于佛羅里達州奧蘭多舉行的應用電源電子產品會議 (APEC) 上展示，Qorvo 展位號 632。如欲了解有關 Qorvo 在 APEC 上展出的更多創新技術，或者欲與 Qorvo 安排現場會議和采訪，請訪問https://www.qorvo.com/newsroom/trade-shows/apec-2023。
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編輯：zqy 最后修改時間：2023-03-25
