美國最新一輪半導體出口管制要點和細節
導語：最新情況顯示，美國SWB工業和安全局（BIS）在其官網公布了一系列更全面的出口管制新規，欲限制中國獲得先進計算芯片、開發和維護超級計算機以及制造先進半導體的能力。
今天，據此前財聯社消息，美國SWB工業和安全局（BIS）以所謂的維護GJ安全為由，把針對中國芯片產業的無理打壓再度升級，具體涉及9條新規定，包括將某些先進、高性能的計算機芯片和含有此類芯片的計算機商品添加到商業管制清單、對最終用途在中國的超級計算機或半導體開發及生產應用項目增加新的許可證要求、將某些半導體制造設備和相關項目添加到商業管制清單、對在中國的16納米以下非平面晶體管結構邏輯芯片或128層以上NAND閃存芯片等先進芯片生產設施增加新的許可證要求等。
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事實上，在此之前，美國ZF曾多次出臺芯片領域相關禁令與法案，包括《芯片與科學法案》以及限制相關公司向中國出口高性能GPU等。不過，此次出口管制限制范圍更為廣泛，影響或許也將更大。
公開資料顯示，相關規則如下：
1.將某些先進和高性能計算芯片及含有此類芯片的計算機商品加入《商業管制清單》（CCL）；
2.對中國超級計算機或半導體開發或生產最終用途的項目增加新的許可證要求；
3.將《出口管理條例》(EAR)的適用范圍擴大到某些外國生產的先進計算機產品和外國生產的超級計算機終端用途產品；
4.將需要許可證的美國以外國家的生產項目的范圍，擴大到位于中國境內的28家現有實體；
5.將某些半導體制造設備和相關項目添加到CCL；
6.對在中國制造的符合規定的半導體制造工廠的設備增加新的許可證要求。中國公司擁有的設施許可證將面臨“推定拒絕”，公司擁有的設施將根據具體情況做出決定，具體涉及范疇：具有16nm或14nm以下制程的非平面晶體管結構（FinFET或GAAFET）的邏輯芯片；半間距不超過18nm的DRAM存儲芯片；128層或更多層的NAND閃存芯片；
7.限制美國實體在沒有許可證的情況下，支持中國境內某些半導體工廠制造、開發或進行生產；
8.對開發或生產半導體制造設備及相關項目的出口項目增加新的許可證要求；
9.建立臨時通用許可證(TGL)，通過允許特定的、有限的生產活動，將對半導體供應鏈的短期影響降至最低。
據悉，上述半導體制造項目限制自10月7日起生效，美國人在支持基于中國本土半導體制造“設施”開發、生產或應用集成電路的能力方面的限制將在10月12日生效，先進計算和超級計算機控制以及規則中的其他更新將在10月21日生效。
更新的出口管制將從多個方面針對中國企業，包括限制美國企業向中國出口關鍵芯片制造工具，以及限制美國公民和企業向中國的半導體制造廠提供任何形式的直接或間接支持。
編輯：ZQY 最后修改時間：2022-10-09
