LPDDR4 新技術改進特性介紹
作為一位資深銷售員工，今天和大家交流交流LPDDR4相比于LPDDR3的差異，感興趣的機油不妨一同來學習一下哦~~
Die的設計改進
LPDDR4的本質還是DRAM，其基本的存儲單元電容并加mos開關的方式并未發生變化。為了獲取更快的讀寫速度，僅僅提升外部的總線吞吐能力是不行的，LPDDR4在die的設計上做了改進優化，來配合外部總線的速度提升。
die的設計方式已經由之前的單Channel演進為雙Channel，并且DQ信號和CA信號的設計位置也做了改進。
更改為雙Channel后，同時把CA信號更貼近的置于對應的DQ信號，減少芯片內的不同設計走線長度造成的時延差異。雙通道架構縮短了數據信號從存儲器陣列到I/O的傳送距離，由于存儲器上的大部分面積被存儲器陣列所占據，翻倍擴大接口面積對總體尺寸的影響微乎其微。
每個channel都有自己獨有的CA信號，可以進行并行的操作。所以外部總線速度的提升，內部是主要是依靠更短的時延和更多的并行操作來進行消化。
LVSTL的低功耗接口設計
接口擴展到更高的頻率將消耗更多的電量，LPDDR4的I/O接口信號發送方式做出重大改變，采用低電壓擺動-終止邏輯（LVSTL）方式。LVSTL（Low Voltage Small signal Terminated level）, 低電壓擺幅終端邏輯。
其內部的原理如下
它由兩個NMOS構成了上下拉，信號的擺動電壓幅度是可編程控制的，一般控制在VDDQ/2.5~VDDQ/3之間。
這個接口還有一個好處，就是在idle狀態下，不需要直流電平，所以也不會有電源的消耗。
基于這個LVSTL接口的這兩個優點，其接口功耗會明顯下降。根據Memory廠家的測試，3.2Gbps的LPDDR4的接口功耗，相當于1.6Gbps的LPDDR3接口功耗，也就是說它的接口功耗下降了一半。
另外操作電壓從前代的1.2伏降低到了1.1伏。這樣也降低了芯片的工作功耗。
數據翻轉功能
由功能管腳定義可以看到，LPDDR4多了一組DMI[1:0]信號。
在讀寫操作的時候，LPDDR4支持數據翻轉(DBIdc)的功能。這個功能的實現是通過讀寫的時候控制MR3寄存器的對應位來實現的。這個功能可能會在一些軟件的特殊應用場景中使用。
CA的差異
由pin腳定義可以看出，LPDDR4的CA管腳，由之前的10位，減少到了6位。6bit的CA信號仍然包含command 、address和bank的信息。還有一個改變就是CA不再像LPDDR3那樣支持DDR的模式，而只是SDR的模式。所以這樣看起來，其CA的效率相對于LPDDR3有所下降，考慮到接口速度上的提升，總體來說跟LPDDR3持平。
LPDDR4也包含類似LPDDR3的一個CA training的過程，不同的是LPDDR4采用的是CBT（command bus training）的方式，在這種方式中，會進行VrefCa，CLK對CS，CLK對CA的時序調整。
新增帶有ECC校驗功能的寫命令
LPDDR3的讀寫操作都不帶有校驗功能。為了提高讀寫的可靠性，LPDDR4里新增了一種帶有ECC校驗功能的寫命令（masked write command）。實際上這種帶校驗的寫命令，是在cell內部做了個read-modify-write的動作。所以這種寫操作的效率要比正常的寫操作要低。
快捷方便的頻率切換功能FSP功能
FSP(frequency set point)功能支持兩個預設的工作頻率之間的快速切換。
正常如果做頻率切換的話，因為涉及不同頻率的training出來的不同的值，相關寄存器會需要做重新的寫入。而FSP功能通俗的說就是已經把兩個預置工作頻率的寄存器的值都備份好了，只要一個指令就能完成快速的完成切換。
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華邦LPDDR4的主要型號有：W66AL6NBVA W66BL6NBVA W966K6HBG W966D6HBG W967D6HBG W968D6DAG
編輯：Simon 最后修改時間：2019-05-23
