您好，歡迎進入深圳市穎特新科技有限公司官方網(wǎng)站！
您好，歡迎進入深圳市穎特新科技有限公司官方網(wǎng)站！
氮化鎵（GaN）作為第三代半導體材料，和傳統(tǒng)材料Si相比，具備禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率大、開關頻率高以及電子飽和速度快等優(yōu)勢，發(fā)展?jié)摿薮蟆?/p>
氮化鎵迎來爆發(fā)式增長，應用場景逐漸由消費電子向更多新興市場拓展
為此，自上世紀90年代起，一些全球領先的科研機構就開始著手氮化鎵材料的研究，并致力于實現(xiàn)其產品的商業(yè)化。在2018年左右，氮化鎵被引入消費電子快充領域，“秒充”、“閃充”等技術相繼涌現(xiàn)，憑借大功率、小體積、充電快、散熱快等明顯優(yōu)勢，氮化鎵產品迅速引爆市場。
目前，據(jù)不完全統(tǒng)計，市場上已有數(shù)十家主流電源廠家推出了數(shù)百款氮化鎵快充產品，其功率已從過去的30W向65W、100W、200W、300W+突破，并已經(jīng)成為小米、OPPO、vivo、榮耀、聯(lián)想等各大知名品牌廠商的核心賣點之一。
羅姆半導體（上海）有限公司技術中心副總經(jīng)理周勁表示：和SiC一樣，GaN是一種用于功率器件時存在巨大潛力的材料，在禁帶寬度、擊穿場強、電子飽和速度等方面擁有明顯的優(yōu)勢，特別是在高頻率工作、高速開關的狀態(tài)下，GaN能夠做到比硅甚至碳化硅都有更好的表現(xiàn)，有望為消費電子快充、車載OBC、數(shù)據(jù)中心電源、分布式電源等各種電源的低功耗、小型化以及外圍器件的小型化做出貢獻。
氮化鎵的主要技術特征及優(yōu)勢
隨著技術的不斷發(fā)展，近年來氮化鎵材料在成熟度不斷提高的同時，成本也在進一步下降。在消費電子領域快速普及的帶動下，氮化鎵作為一種創(chuàng)新型的半導體材料在數(shù)據(jù)中心、5G基站、汽車電子、新能源等更為廣闊的市場上滲透率也在不斷提高。
市場規(guī)模方面，根據(jù)Yole的數(shù)據(jù)，2021年氮化鎵功率器件市場收入為1.26億美元，預計2027年將達到20億美元，2021-2027 年復合年增長率為59%。到目前為止，消費領域一直是 GaN市場增長的主要驅動力，在2021年市場規(guī)模為0.796億美元，占比約為63%。不過，據(jù)Yole預測，隨著其他應用領域滲透率的提高，預計消費領域的占比到 2027 年將逐漸下降到48%。
而從競爭格局來看，根據(jù)TrendForce的數(shù)據(jù)，全球GaN功率半導體主要玩家有PI 、Navitas、英諾賽科、EPC、GaN Systems等，其中PI 、Navitas、英諾賽科3家公司市占率已達53%；在出貨量上，目前英諾賽科氮化鎵芯片出貨已突破1.7億顆，其中 2023年Q1出貨量突破了5000萬顆，銷售額達1.5億，是去年同期的4倍。而納微半導體出貨也已經(jīng)超7500萬顆，其產品已被安克、倍思、百思買、聯(lián)想、小米、綠聯(lián)、vivo等知名品牌的眾多大功率快充產品采用。
在談及當前氮化鎵行業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀時，周勁指出：快充是氮化鎵快速產業(yè)化的第一突破口和當前主流廠商的主要應用場景。在2020年之后，隨著5G和PD適配器的普及，市場對小體積、高性價比的氮化鎵需求進一步增加，在巨大的機遇面前老牌的半導體公司也都開始在氮化鎵領域發(fā)力。今后隨著氮化鎵方案越來越成熟以及數(shù)據(jù)中心、基站電源、電動汽車以及工業(yè)系統(tǒng)應用的增加，預計未來5年左右氮化鎵仍然會保持比較高的增速。
雖然氮化鎵的市場前景一片大好，但作為一種新型材料，與Si MOSFET相比，氮化鎵的使用通常會面臨兩個問題：第一個是驅動電壓（Vth）比較低，通常是1.5V~1.8V左右，有噪音的時候會誤開啟，不一定壞，但是會導致?lián)p耗比較高；第二個就是柵極耐壓比較低，通常氮化鎵器件的標定是5V的驅動電壓，4.5V以下可以導通但不徹底，到了6V以上則面臨柵極損壞的風險。因此，在這種情況下，氮化鎵的柵極處理起來很難，必須與專門的驅動電路或者驅動器配合使用，但是這樣外置元器件數(shù)量就會增多，而且還需要考慮寄生分量的影響。
使用GaN器件時面臨的問題
羅姆Power Stage IC成功解決業(yè)內難題，可減少器件約99%的體積/降低約55%的功耗
針對上述痛點，羅姆結合所擅長的功率電子和模擬兩種核心技術優(yōu)勢，開發(fā)出集功率半導體——GaN HEMT和模擬半導體——柵極驅動器于一體的Power Stage IC。該產品的問世使得被稱為“下一代功率半導體”的GaN器件不僅輕輕松松即可實現(xiàn)安裝，而且由于其設計適用于現(xiàn)有的主要控制器，可以用來取代傳統(tǒng)的Si MOSFET功率開關，以助于更加充分地發(fā)揮氮化鎵器件的性能。
羅姆Power Stage IC成功解決業(yè)內難題
資料來源：羅姆
周勁指出：羅姆此次推出的集650V GaN HEMT和柵極驅動用驅動器等于一體的Power Stage IC‘BM3G0xxMUV-LB’系列新品，按照導通電阻的不同，又可以分為BM3G015MUV-LB（150毫歐）、BM3G007MUV-LB（70毫歐）兩款產品。新產品支持更寬的驅動電壓范圍（2.5V～30V），而且傳輸延遲短(Typ.11ns~15ns)、啟動時間快(Typ.15us)，有助于減少服務器和AC適配器等的損耗和體積。此外，公司還備有三款評估板，一款是BM3G007MUV-EVK-002，用來評估芯片的整體方案性能。另外兩款BM3G007MUV-EVK-003和BM3G015MUV-EVK-003，可移植到客戶現(xiàn)有方案進行測試。
BM3G0xxMUV-LB系列產品的主要技術特征
資料來源：羅姆
具體來看，BM3G0xxMUV-LB系列產品主要有三大亮點：（1）可進一步降低功耗。在導通損耗影響不大的情況下，該系列產品相比Si MOSFET損耗可減少55%。相比普通產品，仍然可以做到減少約20%的程度；（2）應用產品可進一步小型化。元器件數(shù)量上，普通產品是9個相關元器件，而羅姆的新產品使得驅動方式進一步簡化，外置Power Stage相關元器件只需1個，因此可讓器件體積減少約99%；（3）支持各種一次側電源電路。由于該芯片驅動的范圍寬、啟動及延遲時間短，整個環(huán)路等的設計會比較容易，可以應用在AC適配器為代表的消費電子、服務器為代表的工業(yè)設備等各種各樣的AC-DC電路中。
羅姆新品可減少器件約99%的體積/降低約55%的功耗
資料來源：羅姆
除了新發(fā)布的BM3G0xxMUV-LB系列產品外，在氮化鎵領域，其實羅姆已布局多時。
據(jù)周勁介紹，羅姆的氮化鎵產品以EcoGaN?命名。早在2006年，公司就已經(jīng)開始了氮化鎵相關產品的研發(fā)。經(jīng)過不斷努力，在2021年，公司推出了150V耐壓的GaN HEMT產品，成功地將柵極耐壓 (額定柵極-源極電壓)提高到了業(yè)界領先的8V，成為基站、數(shù)據(jù)中心、物聯(lián)網(wǎng)通信設備等工業(yè)設備的電源電路的理想選擇；在2023年4月，公司又量產了第一代650V耐壓的GaN HEMT*1（GNP1070TC-Z、GNP1150TCA-Z）系列產品，與傳統(tǒng)的GaN器件相比，它大幅降低了開關損耗，進一步提高電源系統(tǒng)的效率，并且讓產品的可靠性也得到了更大程度的提高，非常適用于在服務器和AC適配器等各種電源系統(tǒng)中使用。
展望未來，周勁表示：羅姆的Power Stage IC的下一代機型，準偕振AC-DC+GaN的器件預計在2024年Q1量產，而半橋+GaN的器件預計在2024年Q2量產。今后，羅姆不僅注重提高GaN HEMT單體的性能，還將不斷改進驅動技術和控制技術，讓GaN器件在各種應用中進一步普及。當然，除了元器件的開發(fā)外，未來公司還將致力于與業(yè)內相關企業(yè)積極建立戰(zhàn)略合作伙伴關系并推動聯(lián)合開發(fā)，通過助力應用產品的效率提升和小型化，持續(xù)為解決社會問題貢獻力量。
