東芝NAND閃存：TC58NYG2S0HBAI4
TC58NYG2S0HBAI4
TC58NYG2S0HBAI4是一個1.8V4Gbit(4，563，402，752位)NAND電可擦和可編程只讀存儲器(NAND E2PROM)，組織為(4096 256)字節×64頁×2048塊。該裝置具有兩個4352字節的靜態寄存器，允許在寄存器和存儲器單元數組之間以4352字節增量的方式傳輸程序和讀取數據。擦除操作是在單個塊單元中實現的(256千字節16字節：4352字節×64頁)。
TC58NYG2S0HBAI4是一種串行型存儲設備，它使用I/O引腳進行地址和數據輸入/輸出以及命令輸入。自動執行擦除和程序操作，使該設備最適合于諸如固態文件存儲、語音記錄、靜止相機圖像文件存儲器等應用。以及其他需要高密度、非易失性存儲器數據存儲的系統。
編輯：admin 最后修改時間：2019-09-06
