意法半導體與MACOM成功生產射頻硅基氮化鎵原型
5月13日，意法半導體和MACOM宣布宣布成功生產射頻硅基氮化鎵（RF GaN-on-Si）原型。RF GaN-on-Si為5G和6G基礎設施提供了巨大潛力。長期存在的射頻功率技術橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)主導了早期射頻功率放大器(PA)。對于這些射頻功率放大器，GaN可以提供比LDMOS更高的射頻特性和顯著更高的輸出功率。
此外，它可以在硅或碳化硅(SiC)芯片上制造。由于高功率應用對SiC晶圓的競爭以及其非主流半導體加工，RF GaN-on-SiC可能會更昂貴。
目前，意法半導體和MACOM已經開始進一步研究以加快向市場交付先進射頻GaN-on-Si產品的速度。
意法半導體功率晶體管子集團總經理兼執行副總裁EdoardoMerli表示：“我們相信，該技術現在已經達到了性能水平和工藝成熟度，可以有效地挑戰現有的LDMOS和GaN-on-SiC，我們可以為包括無線基礎設施、商業化在內的大批量應用提供成本和供應鏈優勢，將RF GaN-on-Si產品商業化是我們與MACOM合作的下一個重要里程碑！
意法半導體和MACOM的合作早有淵源。
2018年2月，MACOM和意法半導體宣布一份硅上氮化鎵GaN合作開發協議。意法半導體為MACOM制造硅上氮化鎵射頻芯片。
2019年3月，MACOM和意法半導體(ST)宣布在2019年擴大ST工廠在150mm硅基氮化鎵的產能，而200mm的硅基氮化鎵依需求擴產。該擴產計劃旨在支援全球5G電信網建設，其基于2018年初MACOM和ST所宣布達成的硅基氮化鎵協議。
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編輯：ls 最后修改時間：2022-08-09
