2017 年中國將推自主生產(chǎn) 32 層堆疊 3D NAND 閃存
隨著當(dāng)前智能手機(jī)、SSD等產(chǎn)品的市場需求強(qiáng)烈，包括閃存、內(nèi)存等儲存芯片需求大量成長，近期價格也擺脫低潮，持續(xù)上漲，這樣的機(jī)會點也給了中國相關(guān)企業(yè)介入儲存芯片市場的發(fā)展契機(jī)。根據(jù)外電的報導(dǎo)，在這波儲存芯片的熱潮下，中國本身也將在2017年推出32層堆疊的3D NAND閃存。雖然，這樣的技術(shù)相較韓國三星、日本東芝等國際大廠來說仍有落差，但總是為中國閃存市場跨出第一步。
在中國發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的規(guī)劃中，儲存芯片的發(fā)展名列最優(yōu)先位置，也是全國各地都搶著爭取的項目。其中，中國國家級的儲存芯片基地在武漢，目前投資超過240億美元。之前由新芯科技主導(dǎo)，在2016年7月份紫光集團(tuán)收購了新芯科技大多數(shù)股權(quán)之后，現(xiàn)在已經(jīng)變成了紫光集團(tuán)主導(dǎo)，并預(yù)計2017年正式推出自主生產(chǎn)的32層堆疊3D NAND閃存。
2015年，國家級儲存芯片基地確定落腳武漢之后，由武漢新芯科技公司負(fù)責(zé)建設(shè)的12寸晶圓廠，已經(jīng)于2016年3月份正式動工。整個計劃預(yù)計分為三期，現(xiàn)在啟動的是第一期，主要目標(biāo)是生產(chǎn)3DNAND閃存為主。而在2018年將啟動的第二期建設(shè)，規(guī)劃是上則是以DRAM內(nèi)存為主。至于，2019年啟動第三期建設(shè)，主要目標(biāo)則為晶圓代工服務(wù)。而產(chǎn)能部分，2020年目標(biāo)為每月30萬片，到了2030年則是每月100萬片。
2016年7月份，紫光集團(tuán)收購了新芯科技多數(shù)股份之后，隨即成立了武漢長江存儲科技（TRST），紫光集團(tuán)持股超過50%，董事長趙偉國也將兼任長江存儲科技的董事長。這事情所顯示出的意義，即是紫光集團(tuán)在收購美光觸礁，并購WD也不成功的情況下，現(xiàn)在總算是可以正式進(jìn)軍儲存芯片領(lǐng)域。而且根據(jù)規(guī)劃，長江存儲最快在2017年底，就將正式推出中國本土生產(chǎn)的32層堆疊3D NAND閃存。
過去，新芯科技主要以生產(chǎn)NOR閃存為主，而當(dāng)前的NAND閃存其技術(shù)層次要高于NOR閃存，而主要技術(shù)來源是飛索半導(dǎo)體（Spansion）。因此，考慮到與國際大廠三星、Hynix、東芝、美光、Intel等公司的技術(shù)差距，中國本土生產(chǎn)的32層堆疊3D NAND閃存的其已經(jīng)有一定的技術(shù)層次。只是，2017年底推出時，這些國際大廠包括48層堆疊，甚至是64層堆疊的3D NAND閃存可能早已經(jīng)問世。
不過，在中國自主發(fā)展儲存芯片的政策，而且相關(guān)業(yè)者在政府扶持的情況下，未來技術(shù)上依舊會持續(xù)追趕。以新芯科技來說，在2017年推出32層堆疊3D NAND閃存，也預(yù)計將在2018年底前推出48層堆疊的3D NAND閃存，逐步縮小技術(shù)上的差距。
編輯：admin 最后修改時間：2018-01-05
