武漢新芯將并入紫光集團旗下，趙偉國將任董事長
先前科技新報獨家揭露，統(tǒng)籌中國內存產業(yè)發(fā)展的武漢新芯將與紫光集團攜手合作，并有望獲得美光在NAND Flash的協助，現在事情再有新進展，根據調研機構集邦科技旗下內存儲存事業(yè)處DRAMeXchange說法，紫光將于武漢成立新企業(yè)，未來武漢新芯將并入旗下，據先前消息，紫光集團董事長趙偉國也將出線擔任董事長。
朝NANDFlash發(fā)展前進
調研機構集邦科技旗下內存儲存事業(yè)處DRAMeXchange今27日發(fā)布消息指出，紫光集團預計于武漢成立長江存儲科技，未來將并入武漢新芯并統(tǒng)籌集團下一切內存發(fā)展項目，目前整體規(guī)劃朝向NANDFlash產業(yè)發(fā)展。
DRAMeXchange認為，紫光集團與武漢新芯目前將著力于NAND Flash發(fā)展，除了因NAND Flash后市可期，武漢新芯原為NOR Flash大廠，在生產經驗、廠房與產能建置等基礎建設本就有所擅長。DRAMeXchange協理楊文得進一步分析，紫光集團則在資金募集及策略并購等均有過人之處，透過兩強攜手整合資源，能使中國內存產業(yè)投資的整體資源配置更加集中，并在整合上產生更多綜效，對內可是使未來中國內存產業(yè)的發(fā)展中瞄準較佳的地位，對外則能提升產業(yè)上談判的籌碼，有助于中國建立產業(yè)自主性。
根據科技新報先前取得的消息，紫光集團董事長趙偉國、大基金總經理丁文武可能在這之中扮演重要角色，而新芯董事長楊士寧等可能有異動，而目前根據消息，趙偉國也的確會持續(xù)留在紫光集團董事長此一職位。
飛索半導體之后再攜美光？
武漢新芯在3月底于武漢東湖高新區(qū)所擘劃的內存基地才舉移動土典禮，規(guī)劃用于生產3D-NAND Flash，預計2018年建設完成，官方預計，屆時與飛索半導體合作開發(fā)的3D-NAND Flash將能達到32層堆疊，初期量產月產能約20萬片，武漢新芯目標到2020年基地總產能達30萬片/月、2030年來到100萬片/月。
楊文得表示，3D-NANDFlash的廠房新建等投資遠高于2D-NAND Flash數倍，紫光/武漢新芯方若能循華亞科模式取得美光技術授權，則能以較低的財務負擔來獲取長期新產能的布建，更有機會在市占率拉近與三星和東芝/威騰（WD）陣營的距離。
3D-NAND Flash現擴產潮
目前各家大廠在3D-NAND Flash產能的布建，三星在西安廠的投資外，韓國平澤廠區(qū)也規(guī)劃加大新的3D-NAND Flash產能，東芝與西數（WD）旗下SanDisk日本Fab2廠在日前開幕，新廠也可望自2018下半年投產，海力士則除現階段M11與M12廠外，M14廠第二階段3D-NAND的生產也將從明年第一季后開始進行。英特爾美光陣營在今年3月擴建新加坡Fab10X的擴建外，英特爾大連廠轉型生產3D-NAND Flash芯片也在這個月25日正式投產。
DRAMeXchange預估，2011~2016年NAND Flash位需求量的年復合成長率高達47%，在SSD需求高度成長的帶動下，NANDFlash未來10年可望皆維持強勁成長態(tài)勢。
編輯：admin 最后修改時間：2018-01-05
