移動電話的靜噪措施

噪聲發射狀態：
當噪聲從基帶電路部分流入RF電路部分時，將出現靈敏度抑制，導致BER (位差錯率) 惡化。移動電話基帶電路部分，一般為基帶IC，控制各種信號，如語音信號和LCD信號。基帶IC是一種重大的噪聲源，因為工作速度較高，并連接許多數據線。如果此類噪聲通過數據線或電源／GND線流入RF電路部分中，就會發生靈敏度抑制，導致BER (位差錯率) 惡化。

移動電話的靜噪措施
為了改善BER (位差錯率) 惡化狀況，必須抑制噪聲從基帶電路部分流入RF電路部分。為此，應在基帶電路部分與RF電路部分之間的噪聲傳導路徑上安裝EMI濾波器。

近來，隨著基帶電路部分的噪聲電平日益變高，對基帶電路部分進行屏蔽也變得很重要。

下面將對上述5種情況的靜噪示例進行詳細描述。

在LCD線上安裝EMI濾波器
由于LCD的數據總線和地址總線包含許多同時開關的線路，將產生瞬態大電流，流入電源／GND線。因此，必須采取措施抑制電流流入信號線。通常，片狀鐵氧體磁珠排列型BLA31系列和帶電阻的片狀EMIFIL?NFA31G系列可用于此目的。如果無法插入這些元件，則應將微波吸收薄膜EA系列貼裝在LCD軟性電纜上，以抑制噪聲通過該軟性電纜傳導。

在DC電源安裝EMI濾波器
為了抑制噪聲從基帶電路部分通過DC電源線流入RF電路部分，應在DC電源線上安裝片狀鐵氧體磁珠BLM15系列。鐵氧體磁珠與DC電源線用片狀EMIFIL?NFM21P系列的組合使用可實現增強的靜噪效果。

片狀EMIFIL?NFM21P系列是一種三引出電容器，具有比二引出電容器更好的高頻特性。當旁路電容器由幾個具有不同常數的二引出電容器組成時，可以將它們替換為單個片狀EMIFIL?，從而在安裝空間方面提供一種優勢。

在數據線上安裝EMI濾波器
基帶電路部分含有許多數據線。作為一個典型示例，這里將對SIMM數據線進行描述。一個片狀鐵氧體磁珠BLM15AG601SN1安裝在SIMM數據線上，以抑制噪聲傳導。由于SIMM數據線工作速度相對較低，故可以采用具有大阻抗的片狀鐵氧體磁珠。但是，如果將具有大阻抗的片狀鐵氧體磁珠用于高速數據傳輸線，則會對傳輸信號的波形產生不利的影響，造成波形變形或失真，引起動作不良。為防止出現這些問題，對于高速信號線，應采用對信號波形影響較小的信號線用鐵氧體磁珠BLM15BB/BD系列。

在接口部分安裝EMI濾波器
如果噪聲流經接口電纜，從電纜發射的噪聲將被衍射并流入天線，造成BER惡化。為了抑制噪聲通過接口電纜傳導，應在基帶IC與電纜連接器之間安裝片狀鐵氧體磁珠BLM15系列。

對于使用高通信頻率 (例如PDC1.5、DCS、PCS) 的移動電話，采用在該頻率范圍內具有高阻抗的共模扼流線圈DLP31或DLW21系列，可實現更卓越的靜噪效果。

對于接口部分的噪聲抑制，需要采取抗擾度測試和防止傳輸波衍射的措施。因此，必須按照預期目的和頻帶選擇最佳
EMI濾波器。

增強屏蔽
通常，移動電話樹脂外殼采用導電鍍層屏蔽。隨著移動電話的功能越來越豐富，基帶電路部分產生的噪聲電平也已提
高。因此，屏蔽基帶電路部分就象屏蔽RF電路部分一樣重要。移動電話應將外殼的接觸表面設計得盡可能大，并降低高頻阻抗。

采用金屬盒對基帶電路部分進行局部屏蔽，或將微波吸收薄膜貼裝在屏蔽接觸表面上，也可以增強屏蔽狀況。

文章來源：村田制作所官網

編輯：admin  最后修改時間：2017-12-13