NOR FLASH的結構和特性
NOR FLASH的結構原理圖圖1，可見每個Bit Line下的基本存儲單元是并聯的，當某個Word Line被選中后，就可以實現對該Word的讀取，也就是可以實現位讀取（即Random Ａccess），且具有較高的讀取速率，圖2是一個3*8bit的NOR FLASH的原理結構圖，圖3是沿Bit Line切面的剖面圖，展示了NOR FLASH的硅切面示意圖，這種并聯結構決定了NOR FLASH的很多特性。
（圖一）
（圖二）
（1）基本存儲單元的并聯結構決定了金屬導線占用很大的面積，因此NORFLASH的存儲密度較低，無法適用于需要大容量存儲的應用場合，即適用于code-storage，不適用于data-storage,見圖3
（2）基本存儲單元的并聯結構決定了NOR FLASH具有存儲單元可獨立尋址且讀取效率高的特性，因此適用于code-storage，且程序可以直接在NOR 中運行（即具有RAM的特性）。
（3）NOR FLASH寫入采用了熱電子注入方式，效率較低，因此NOR寫入速率較低，不適用于頻繁擦除/寫入場合。
（圖三）
最后來個小貼士：NOR FLASH的中的N是NOT，含義是Floating Gate中有電荷時，讀出‘0’，無電荷時讀出‘1’，是一種‘非’的邏輯；OR的含義是同一個Bit Line下的各個基本存儲單元是并聯的，是一種‘或’的邏輯，這就是NOR 的由來。
編輯：simon 最后修改時間：2019-09-17
