SRAM與SDRAM有什么區別？
SDRAM
SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory)同步動態隨機存取存儲器，同步是指Memory工作需要步時鐘，內部的命令的發送與數據的傳輸都以它為基準;動態是指存儲陣列需要不斷的刷新來保證數據不丟失;隨機是指數據不是線性依次存儲，而是由指定地址進行數據讀寫。目前的168線64bit帶寬內存基本上都采用SDRAM芯片，工作電壓3.3V電壓，存取速度高達7.5ns，而EDO內存最快為15ns。并將RAM與CPU以相同時鐘頻率控制，使RAM與CPU外頻同步，取消等待時間,所以其傳輸速率比EDO DRAM更快。
SDRAM從發展到現在已經經歷了四代，分別是：第一代SDR SDRAM，第二代DDR SDRAM，第三代DDR2 SDRAM，第四代DDR3 SDRAM.
第一代與第二代SDRAM均采用單端(Single-Ended)時鐘信號,第三代與第四代由于工作頻率比較快，所以采用可降低干擾的差分時鐘信號作為同步時鐘。
SDR SDRAM的時鐘頻率就是數據存儲的頻率，第一代內存用時鐘頻率命名，如pc100，pc133則表明時鐘信號為100或133MHz，數據讀寫速率也為100或133MHz。
之后的第二，三，四代DDR(Double Data Rate)內存則采用數據讀寫速率作為命名標準，并且在前面加上表示其DDR代數的符號，PC-即DDR，PC2=DDR2，PC3=DDR3。如PC2700是DDR333，其工作頻率是333/2=166MHz，2700表示帶寬為2.7G。
DDR的讀寫頻率從DDR200到DDR400，DDR2從DDR2-400到DDR2-800，DDR3從DDR3-800到DDR3-1666。
很多人將SDRAM錯誤的理解為第一代也就是 SDR SDRAM，并且作為名詞解釋，皆屬誤導,SDR不等于SDRAM。
Pin:模組或芯片與外部電路電路連接用的金屬引腳，而模組的pin就是常說的“金手指”。
SIMM：Sigle In-line Memory Module,單列內存模組。內存模組就是我們常說的內存條，所謂單列是指模組電路板與主板插槽的接口只有一列引腳(雖然兩側都有金手指)。
DIMM：Double In-line Memory Module，雙列內存模組。是我們常見的模組類型，所謂雙列是指模組電路板與主板插槽的接口有兩列引腳，模組電路板兩側的金手指對應一列引腳。
RDIMM：registered DIMM，帶寄存器的雙線內存模塊
SO-DIMM:筆記本常用的內存模組。
工作電壓：
SDR：3.3V
DDR：2.5V
DDR2：1.8V
DDR3：1.5V
SRAM
SRAM是英文Static RAM的縮寫，它是一種具有靜止存取功能的內存，不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。不像DRAM內存那樣需要刷新電路，每隔一段時間，固定要對DRAM刷新充電一次，否則內部的數據即會消失，因此SRAM具有較高的性能，但是SRAM也有它的缺點，即它的集成度較低，相同容量的DRAM內存可以設計為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積，所以在主板上SRAM存儲器要占用一部分面積，在主板上哪些是SRAM呢?
一種是置于CPU與主存間的高速緩存，它有兩種規格：一是固定在主板上的高速緩存(Cache Memory );二是插在卡槽上的COAST(Cache On A Stick)擴充用的高速緩存，另外在CMOS芯片1468l8的電路里，它的內部也有較小容量的128字節SRAM，存儲我們所設置的配置數據。
還有一種是為了加速CPU內部數據的傳送，自80486CPU起，在CPU的內部也設計有高速緩存，故在Pentium CPU就有所謂的L1 Cache(一級高速緩存)和L2Cache(二級高速緩存)的名詞，一般L1 Cache是內建在CPU的內部，L2 Cache是設計在CPU的外部，但是Pentium Pro把L1和L2 Cache同時設計在CPU的內部，故Pentium Pro的體積較大。最新的Pentium II又把L2 Cache移至CPU內核之外的黑盒子里。
SRAM顯然速度快，不需要刷新的動作，但是也有另外的缺點，就是價格高，體積大，所以在主板上還不能作為用量較大的主存。現將它的特點歸納如下：
◎優點，速度快，不必配合內存刷新電路，可提高整體的工作效率。
◎缺點，集成度低，功耗較大，相同的容量體積較大，而且價格較高，少量用于關鍵性系統以提高效率。
◎SRAM使用的系統：
○CPU與主存之間的高速緩存
○CPU內部的L1/L2或外部的L2高速緩存
○CPU外部擴充用的COAST高速緩存
○CMOS 146818芯片(RT&CMOS SRAM)
SRAM與SDRAM的比較：
SRAM是靠雙穩態觸發器來記憶信息的;SDRAM是靠MOS電路中的柵極電容來記憶信息的。由于電容上的電荷會泄漏，需要定時給與補充，所以動態RAM需要設置刷新電路。但動態RAM比靜態RAM集成度高、功耗低，從而成本也低，適于作大容量存儲器。所以主內存通常采用SDRAM，而高速緩沖存儲器(Cache)則使用SRAM，在存取速度上，SRAM>SDRAM。另外，內存還應用于顯卡、聲卡及CMOS等設備中，用于充當設備緩存或保存固定的程序及數據。
編輯：admin 最后修改時間：2018-05-18
