單片機復位

　　復位后， P0 ~ P3 輸出高電平； SP 寄存器為 07H ；其它寄存器全部清 0 ；不影響 RAM 狀態。 復位后片內各寄存器的狀態如下（ X 為不確定）：

　　PC 　　　 0000H 　　　　　ACC 　　　　　00H
　　B 　　　　00H 　　　　　　PSW 　　　　　00H
　　SP　　　　07H　　　　　　 DPTR　　　　　0000H
　　P0 ～ P3　FFH 　　　　　　IP 　　　　　 XXX00000B
　　IE 　　　 0XX00000B 　　　TMOD 　　　　 00H
　　TCON 　　 00H 　　　　　　THO 　　　　　00H
　　TLO 　　　00H 　　　　　　TH1　　　　　 00H
　　TL1 　　　00H 　　　　　　SCON　　　　　00H
　　SBUF 　　 不確定
　　PCON 　　 0XXXXXXXB(HMOS)0XXX0000B(CHMOS)

　　復位不影響內部 RAM 中的數據。復位后， PC=0000 指向程序存儲器 0000H 地址單元，使 CPU 從首地址 0000H 單元開始重新執行程序。所以單片機系統在運行出錯或進入死循環時，可按復位健重新啟動。
　　 RST/Vpp 端的外部復位電路有兩種工作方式：上電自動復位和按健手動復位。如圖所示。上電復位是利用 RC 充電來實現的。利用 RC 微分電路產生正脈沖。參數選取應保證復位高電平持續時間大于兩個機器周期（圖中參數適合 6MHz 晶振）。開關 S1 為手動復位，按下 S1 時合上開關， RST 得到高電平，松手后 CPU 完成復位，并從 0000H 開始執行程序。

編輯：admin  最后修改時間：2018-05-08